STM32F407最小系统设计

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STM32F407VET6 采用 ARM Cortex-M4 内核，主频为 168MHz，配备 512KB 闪存和 192KB SRAM。该芯片外设丰富，包含多种通信接口和 AD/DA 转换器。工作电压范围为 1.8V-3.6V，具有低功耗特性，适用于工业控制、智能家居等多种应用场景。

STM32最小系统通常包括：电源、复位、时钟、启动配置以及程序下载接口。

STM32F407VET6 整体供电方案如下图：

引脚号	定义	功能介绍	设计指导
11、19、28、50、75、100	VDD	数字电源，1.8V-3.6V之间，通常使用3.3V。	1个4.7uF + 每个引脚一个0.1uF电容，尽量靠近引脚布置。
22	VDDA	模拟电源，电压需和VDD一致。	通过磁珠连接到VDD。1100 nF +12.2 µF电容
21	Vref+	外部电压参考。VREF+ 必须保持在(VDDA-1.2 V) 和 VDDA 之间	VREF+ 引脚可串联47Ω电阻连至 VDDA 外部供电电源。<br><br>若使用单独的外部参考电压，则必须将一个 100 nF 和一个 1 µF 电容连至此引脚。
6	Vbat	电池供电引脚，1.65V-3.6V。主电源 VDD 断电时，可通过 VBAT 电压为实时时钟 (RTC) 和备份寄存器供电。	若没有使用外部电池，VBAT 连至 VDD 并增加1*0.1uF电容。使用外部电池时，不需要电容。
49、73	Vcap	常规使用，外接电容即可	每个引脚放置1个2.2uF。
20	VSSA	模拟地	通过磁珠连接到GND。
10、27、74、99	VSS	数字地。	ㅤ

单片机内部已集成上电复位电路。为了增加单片机抗干扰能力，最好额外增加外部复位电路。

引脚号	定义	功能介绍
14	NRST	复位引脚，低电平有效。

电路采用常见的RC复位电路，并在复位引脚和电源之间添加一个肖特基二极管，用于掉电时电容快速放电。

如需更可靠的复位功能，可以使用专用复位IC,例如MAX811S。

芯片需要一个高速外部晶振（HSE）和一个低速外部晶振（LSE）。

高速外部时钟 高速外部时钟信号 (HSE) 支持 2种时钟源：

HSE 用户外部时钟（参见图 18），频率范围1 到 50 MHz。必须使用占空比约为 50% 的外部时钟信号（方波、正弦波或三角波）来驱动 OSC_IN 引脚，同时 OSC_OUT 引脚悬空。

低速外部时钟

LSE 晶振是 32.768 kHz 低速外部晶振或陶瓷谐振器。可作为实时时钟外设 (RTC) 的时钟源来提供时钟 / 日历或其它定时功能，具有功耗低且精度高的优点。低速外部时钟信号 (LSE) 有 2 个时钟源：

LSE 用户外部时钟（请参见图 20），使用占空比约为 50% 的外部时钟信号（方波、正弦波或三角波）来驱动OSC32_IN 引脚，同时 OSC32_OUT 引脚悬空。

启动方式由 BOOT0 和 BOOT1 两个引脚的电平状态来配置，通过设置不同的引脚电平组合，可以选择从不同的存储区域启动系统，启动方式配置如下图：

BOOT1	BOOT0	启动模式	说明
x	0	主闪存存储器（Main Flash memory）	从内部的主闪存存储器（Flash）启动，这是最常用的启动模式，用户编写的程序通常存储在该区域，系统上电后会从此处开始执行程序。
0	1	系统存储器（System memory）	从系统存储器启动，系统存储器中固化了厂商提供的启动程序（ISP，In-System Programming），用于通过串口等接口对主闪存存储器进行编程，常用于程序的下载和更新。
1	1	内置 SRAM（Embedded SRAM）	从内置的静态随机存取存储器（SRAM）启动，主要用于调试和开发阶段，可将程序临时加载到 SRAM 中运行，方便快速验证代码。

芯片支持JTAG以及SWD调试接口。SWD接口较为常用。

下载调试接口参考设计如下图：